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专利摘要显现，本发明供给了一种根据环形自在层TMR传感器。归于传感器技术领域，针锋相对参阅层、势垒层与环形自在层构成，经过构建拓扑束缚的环形磁畴结构，完成自在层磁矩在外磁场效果下的可控偏转，与参阅层构成准确的相对取向，然后提高磁性地道结（MTJ）的线性呼应功能。经过调理环形自在层的几许参数（如宽厚比、内外径比）以下降有用各向异性场，完成线性呼应区间的扩展；一起，环形结构构成磁化闭合途径，大大下降退磁因子与杂散场，提高灵敏度与抗干扰的才能。所述传感器选用磁控溅射结合微纳图形化工艺制备，并经过磁退火处理增强磁性各向异性。该传感器结构相对比较简单、功能优异，适用于高精度磁场检测场景。
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